图书：《巨峰科技-半导体工艺》

文章：III-V的光子学特性

编号：JFKJ-21-215

作者：巨峰科技

摘要？

III-V族半导体纳米线在光学、光电子学和电子学领域显示出巨大潜力。设备。电子和光子沿着纳米线的特殊横向限制轴。此外，半导体纳米线具有亚波长结构，表现出强大的光学米氏共振，是新型光学器件的理想平台，如极端太阳能吸收器和宽带光捕获器件。

半导体纳米线形成与应用的历史回顾??

略

GaSb 纳米线的制备和表征？

？掺杂 GaSb，在 B 衬底上制备 GaSb 纳米柱。 ?蚀刻前GaSb晶圆样品尺寸约为0.6cm×0.6cm，用丙酮冲洗，用异丙醇溶液冲洗5分钟，然后吹干。

利用纳米级自组装制备gasb纳米柱阵列的机理

省略

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